Modelación y simulación en matlab de la operación de un diodo de unión PN de silicio basada en teoría de semiconductores
El presente artículo tiene como principal objetivo realizar el estudio del modelado matemático de los dispositivos semiconductores de unión PN y los factores que pueden alterar su funcionamiento, poniendo mucho énfasis en los pasos que se deben de tener en cuenta para obtener las ecuaciones matemáti...
| Autor Principal: | Morán Encalada, Carlos Javier |
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| Formato: | bachelorThesis |
| Idioma: | spa |
| Publicado: |
2017
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| Materias: | |
| Acceso en línea: |
http://dspace.ups.edu.ec/handle/123456789/14759 |
| Etiquetas: |
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| Sumario: |
El presente artículo tiene como principal objetivo realizar el estudio del modelado matemático de los dispositivos semiconductores de unión PN y los factores que pueden alterar su funcionamiento, poniendo mucho énfasis en los pasos que se deben de tener en cuenta para obtener las ecuaciones matemáticas en función del tiempo, para poder comprender esto de mejor manera se hace uso de un software matemático, en este proyecto se emplea el programa Matlab con sus interfaces y Simulink. Se prepara un escenario de investigación (desarrollo de un circuito) se hace uso de varios sensores conectados a una tarjeta Arduino, se emplea la interfaz Guide del programa Matlab el cual va a permitir demostrar gráficamente los datos obtenidos en el modelado, empleando la herramienta Simulink también se va a realizar una comparación entre esta y los resultados obtenidos en el escenario de investigación. En los resultados obtenidos y analizados, se puede observar como la temperatura cumple un importante papel respecto a la corriente de saturación del diodo, se pudo observar el papel que cumple el modelado matemático en la enseñanza como una gran herramienta que nos permite comprender el comportamiento del diodo semiconductor de Silicio. |
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