Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS

El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependen...

Descripción completa

Autor Principal: Prado Saldaña, Víctor Zacarías
Formato: Tesis de Licenciatura
Idioma: Español
Publicado: Pontificia Universidad Católica del Perú 2011
Materias:
Acceso en línea: http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/225
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Sumario: El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares.