Síntesis y caracterización de películas delgadas de nitruro de aluminio hidrogenado (AlN:H)
El AlN:H es un material prometedor para la pasivación de superficie en celdas solares de silicio con el fin de mejorar su eficiencia de conversión de potencia. La pasivación superficial es la reducción de la tasa de recombinación de superficie de los portadores de carga foto-generados (electrones...
| Autor Principal: | Espinoza Monsalve, Sandro Renato |
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| Formato: | info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Idioma: | Español |
| Publicado: |
Pontificia Universidad Católica del Perú
2018
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| Materias: | |
| Acceso en línea: |
http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/9965 |
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| Sumario: |
El AlN:H es un material prometedor para la pasivación de superficie en celdas solares
de silicio con el fin de mejorar su eficiencia de conversión de potencia. La pasivación
superficial es la reducción de la tasa de recombinación de superficie de los portadores
de carga foto-generados (electrones y agujeros). Con el fin de obtener una mejor
comprensión de AlN:H como una capa de pasivación, es importante investigar
previamente las propiedades estructurales y morfológicas de diferentes películas
delgadas AlN:H.
Esta tesis investiga la influencia del hidrógeno en las propiedades estructurales y
morfológicas de las películas delgadas de nitruro de aluminio hidrogenado (AlN:H)
de ~ 100 nm de espesor. Para lograr este objetivo, las muestras se produjeron por
pulverización reactiva en c-Si de tipo p (CZ, 100, dopado con boro, 10 – 20 Ωcm) bajo
tres condiciones diferentes de flujo de hidrógeno y dos temperaturas del sustrato
diferentes durante el proceso de deposición.
La caracterización y análisis de las películas delgadas depositadas se realizó mediante
espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDX), espectroscopia de infrarrojos
por transformada de Fourier (FTIR), espectroscopia de emisión óptica de descarga
luminiscente (GDOES) para análisis de composición y por medio de mediciones de
difracción de rayos X (XRD) y reflectometría de rayos X (XRR) para análisis
estructurales y morfológicos.
Este trabajo indica que el contenido de hidrógeno en la película delgada depositada
produce algunos cambios morfológicos y estructurales en las películas delgadas AlN.
Todas las películas delgadas depositadas tienen la estructura cristalina de wurtzita
hexagonal. Sin embargo, las mediciones de XRD muestran una disminución en la
orientación (002) y un aumento de la orientación de la mezcla entre (100) y (110), con
el aumento del flujo de H2. Esta variación implica que el eje c de la película cambia de perpendicular (002) a paralelo (100, 110) con respecto a la superficie del sustrato. El
análisis XRR revela que un aumento del flujo de H2 reduce la rugosidad de la película.
Adicionalmente, a través de GDOES se confirma la presencia de hidrógeno en todo el
volumen de la película delgada con una tendencia a difundirse hacia las superficies. |
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