Implementación de modelos de fotodiodos en lenguajes de descripción de hardware de señal mixta
El rápido escalamiento de la tecnología CMOS y el desarrollo de procesos CIS (CMOS Image Sensor) optimizados para el diseño de sensores de imagen, en nodos tecnológicos de 90nm, 65nm e inferiores, incrementa grandemente la complejidad de los modelos debido a los efectos físicos que ocurren a esta es...
| Autor Principal: | Bran, Carlos |
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| Otros Autores: | Blanco-Filgueira, B., López, P. |
| Formato: | info:eu-repo/semantics/article |
| Idioma: | spa |
| Publicado: |
Editorial Universidad Don Bosco
2015
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| Materias: | |
| Acceso en línea: |
Bran, C., Blanco, B. y López, P. (2013). Implementación de modelos de fotodiodos en lenguajes de descripción de hardware de señal mixta. Revista Científica, 1 (2), Época 2, pp. 211-220. |
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| Sumario: |
El rápido escalamiento de la tecnología CMOS y el desarrollo de procesos CIS (CMOS Image Sensor) optimizados para el diseño de sensores de imagen, en nodos tecnológicos de 90nm, 65nm e inferiores, incrementa grandemente la complejidad de los modelos debido a los efectos físicos que ocurren a esta escala, lo que crea la necesidad de implementar celdas compactas con dichos efectos descritos completamente, para los procesos de simulación usando herramientas CAD. En este artículo se muestra el proceso de implementación de una celda completa de un fotodiodo que incluye los efectos físicos fundamentales presentes en áreas de estas dimensiones, haciendo uso de lenguajes de descripción de hardware; evaluando luego la celda en un circuito típico de sensor de píxel activo con CMOS (APS), simulando el circuito en un entorno mixto que incorpora modelos de dispositivos activos en otros lenguajes para comparar las tendencias de las variables eléctricas del fotodiodo con el comportamiento típico de este componente en los circuitos APS. |
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